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电子元器件详细资料 » IC[21379] » IPB47N10S-33
型号:IPB47N10S-33类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
系列SIPMOS®
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C47A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C33 毫欧 @ 33A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 2mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs105nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2500pF @ 25V
功率_最大175W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-3
包装Digi-Reel®

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市芯柏然科技有限公司欧阳0755-82533534
上海传泽电子科技有限公司陈13381567868
深圳市华胜英科技有限公司郭13711580601
深圳市宏捷佳电子科技有限公司李先生,夏小姐0755-22669259 83214703
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